IMZA65R040M2H 650VCoolSiC?MOSFET采用英飛凌強大的第 2 代硅碳溝槽技術(shù)、具有無與倫比的性能、卓越的可靠性和低熔斷率、它實現(xiàn)了低成本、高效率和簡化的設(shè)計，以滿足不斷增長的系統(tǒng)需求。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：46A（Tj）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：36mOhm @ 22.9A, 20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 4.6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：997 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：172W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-4-8

封裝/外殼：TO-247-4

應用

太陽能光伏逆變器

太陽能光伏逆變器

儲能和電池信息

不間斷電源

電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施

電機驅(qū)動

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