NTMFSC2D9N08H 這款 N 溝道 MOSFET 采用安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench? 工藝生產(chǎn)。硅和 Dual Cool? 封裝技術(shù)的進(jìn)步相結(jié)合，提供了最低的 rDS(on)，同時通過極低的結(jié)對環(huán)境熱阻保持了出色的開關(guān)性能。

器件屬性

FET 類型： N 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：23A（Ta），154A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 2.9 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 68 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），166W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型： 表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝： 8-DFN（5x6.15）

封裝/外殼： 8-PowerVDFN

應(yīng)用

用于 ATX / 服務(wù)器 / 電信 PSU 的同步整流技術(shù)

直流-直流轉(zhuǎn)換

奧林 FET/負(fù)載開關(guān)/熱插拔應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動和不間斷電源

微型太陽能逆變器

電池管理和保護(hù)

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