NVDS015N15MCT4G - 采用 TO-252-3 封裝的 150V N 溝道屏蔽柵極功率溝槽 MOSFET 晶體管

型號：NVDS015N15MCT4G

封裝：TO-252-3

類型：MOSFET 晶體管

描述：MOSFET - N 通道、屏蔽柵極、功率溝槽 150V

產(chǎn)品概覽

NVDS015N15MCT4G - 采用 DPAK 封裝的汽車功率 MOSFET，專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。鷗翼引線可提高板級可靠性能。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適合汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

- 屏蔽門 MOSFET 技術(shù)

- 在 VGS = 10 V、ID = 29 A 時，最大 RDS(on) = 15 m

- 低 RDS（導(dǎo)通），最大限度地減少傳導(dǎo)損耗

- 低電容，將驅(qū)動器損耗降至最低

- 優(yōu)化柵極電荷，將開關(guān)損耗降至最低

- 通過 AEC-Q101 認(rèn)證，符合 PPAP 要求

- 符合 RoHS 規(guī)范

典型應(yīng)用

- 用于 48 V 隔離總線的初級側(cè)

- 用于中壓二次應(yīng)用的 SR

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