NTMFS6H800NT1G適用于緊湊和高效設(shè)計的商用功率 MOSFET，安裝在 5x6mm 扁平引線封裝中且具有較高的熱性能。

技術(shù)屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 28A（Ta），203A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 2.1 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 330μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 85 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 5530 pF @ 40 V  

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線 

應(yīng)用

開關(guān)電源

電源開關(guān)（高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等）

48V 系統(tǒng)

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