SemiQ SiC MOSFET 模塊在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，從而簡化了電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。SiC MOSFET 模塊工作時(shí)開關(guān)損耗為零，可顯著提高效率并減少散熱，從而實(shí)現(xiàn)更小的散熱器。

GCMX080B120S1-E1產(chǎn)品屬性：

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 30A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 100 毫歐 @ 20A，20V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4V @ 10mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 58 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-10V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1336 pF @ 1000 V   

功率耗散（最大值）： 142W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

供應(yīng)商器件封裝： SOT-227  

封裝/外殼： SOT-227-4，miniBLOC

應(yīng)用

光伏逆變器

電池充電器

服務(wù)器電源

儲(chǔ)能系統(tǒng)

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