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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號(hào):NVXR22S90M2SPM

商品名稱:NVXR22S90M2SPM

品牌:ON

年份:24+

封裝:Module

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號(hào)
NVXR22S90M2SPM
封裝
Module
描述
2.2mOhm, 900V, 6-Pack, 單側(cè)直接冷卻 Elitesic功率模塊

產(chǎn)品描述

NVXR22S90M2SPM EliteSiC功率模塊采用緊湊型兼容封裝,具有更高的性能、效率和功率密度。該模塊設(shè)有采用六組配置的900V SiC MOSFET,設(shè)有壓配引腳,便于組裝和提高可靠性。該器件在基板上包含一個(gè)經(jīng)過優(yōu)化的引腳-翅片散熱片,并采用燒結(jié)技術(shù),以實(shí)現(xiàn)可靠性和熱效率。該模塊的設(shè)計(jì)符合AQG324汽車標(biāo)準(zhǔn)。


產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類 :分立半導(dǎo)體模塊

產(chǎn)品 :碳化硅 (SiC) 模塊

類型 :EliteSiC功率模塊

技術(shù) :SiC

Vgs - 柵極-源極電壓 :- 8 V, + 22 V

安裝風(fēng)格 :SMD/SMT

最小工作溫度 :- 40°C

最大工作溫度 :+ 175°C

配置 :模塊

下降時(shí)間 :48 ns

Id-連續(xù)漏極電流 :510 A

Pd-功率耗散 :900 W

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 :2.7 mOhms

上升時(shí)間 :94 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間 :295 ns

典型接通延遲時(shí)間 :106 ns

Vds-漏源極擊穿電壓 :900 V

Vgs th-柵源極閾值電壓 :2.7 V


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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

HAS350M12BM3

Wolfspeed

Module

1000

碳化硅(SiC)模塊 1200V 350A 底座安裝,62 mm, 半橋

HAS530M12BM3

Wolfspeed

Module

1000

碳化硅(SiC)模塊 1200V 530A 底座安裝,62 mm, 半橋

CHB011M12GM4

Wolfspeed

Module

1000

1200 V, 11 mΩ, GM, T型, 工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)模塊

CAB004M12GM4

Wolfspeed

Module

1000

1200 V, 4 mΩ, GM, 半橋,工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)模塊

NXH020P120MNF1PG

ON

模塊

1000

1200V 20 歐姆碳化硅模塊

NVXK2VR80WXT2

ON

APM-32

1000

1200V 三相橋式碳化硅(SiC)模塊

NVXK2VR40WXT2

ON

APM-32

3000

碳化硅 (SiC) 模塊 - 1200V 三相橋式電源模塊

MD29HFC120N6HT

Starpower

N6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HET

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HEL

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

常見問題

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  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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ON

ON

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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