NVTFWS052P04M8LTAG - 40V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

NVTFWS052P04M8LTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管，采用 3.3x3.3 wDFN8 封裝，專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，具有高散熱性能。該產(chǎn)品通過了 AEC-Q101 認(rèn)證，具有 PPAP 能力，適用于需要增強(qiáng)板級可靠性的汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 P 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 40 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.7A（Ta），13.2A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 69 毫歐 @ 5A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 95μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 6.3 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 424 pF @ 20 V  

功率耗散（最大值） 2.9W（Ta），23W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級 汽車級  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 8-WDFN（3.3x3.3）  

封裝/外殼 8-PowerWDFN 

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