IRFB3607PBF 功率 MOSFET 系列針對低 RDS（導通）和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅固性的低頻應用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的廣泛應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：75 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：80A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9 毫歐 @ 46A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：84 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3070 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：140W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

應用

● 大功率 LEV

● 四輪車

● 輕型多用途汽車

● 低速電動汽車

● 電動摩托車

● 電動叉車

● 高爾夫球車

● 低功耗 LEV

● 兩輪車和三輪車

● 電動踏板車（站立式、自平衡式和折疊式）

● 電動自行車

● 電動人力車

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