NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是具有出色特性的高性能器件。在柵極-源極電壓 (VGS) 為18V時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 典型值為57mΩ，在15V時(shí)為75mΩ。該器件具有超低柵極電荷 (QG(tot) = 61nC) 和低輸出電容 (Coss = 107PF)，確保快速開關(guān)和降低功率損耗。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：38A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：85 毫歐 @ 15A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1196 pF @ 325 V

功率耗散（最大值）：148W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● 汽車板載充電器

● 用于電動(dòng)汽車 (EV)/混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 的汽車直流/直流轉(zhuǎn)換器

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