晶體管IPP65R050CFD7A集成電路芯片650V單FET晶體管TO-220-3

型號(hào)：IPP65R050CFD7A
FET型 N溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏極-源極電壓（Vdss）650 V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開(kāi)，最小Rds開(kāi)）10V
電壓（最大值）±20V
功耗（最大）227W（Tc）
工作溫度 -40°C~150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商設(shè)備包 PG-TO220-3
封裝/外殼 TO-220-3

產(chǎn)品特征
更低的開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率
高質(zhì)量和可靠性
在輕載和滿載條件下提高效率

IPP65R050CFD7A是單場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOSFET晶體管，封裝為T(mén)O-220-3，通孔。

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