STL33N60DM2一款N溝道600 V、0.115 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封裝。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 600 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 21A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 140 毫歐 @ 10.5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±25V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V   

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PowerFlat?（8x8）HV  

封裝/外殼： 8-PowerVDFN

應用

交換應用

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