CMPA2560025D是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優(yōu)異的性能，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與Si和GaAs晶體管相比，GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC包含兩級電抗匹配放大器設計方法，能夠?qū)崿F(xiàn)非常寬的帶寬。

產(chǎn)品屬性

頻率：2.5GHz ~ 6GHz

P1dB：-

增益：23.1dB

噪聲系數(shù)：-

射頻類型：通用

電壓 - 供電：28V

電流 - 供電：-

測試頻率：6GHz

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：模具

供應商器件封裝：模具

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