UF3C065040K3S將其高性能 G3 SiC JFET 與級聯(lián)優(yōu)化的 MOSFET 共同封裝，從而生產(chǎn)出當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有最佳的反向恢復特性。這些器件與推薦的 RC 緩沖器一起使用時，非常適合開關電感負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：54A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 40A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：326W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 電動汽車

● 電池充電器

● 電信和服務器 PSU

● 太陽能逆變器

● 能源存儲

● 電機驅動器

● 開關電源

● 輔助電源

● 負載開關

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