IS66WVH8M8DALL-200B1LI是一款集成存儲器件，包含 Mbit 偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，采用 8 位 M 字自刷新 DRAM 陣列。該器件支持 HyperBus 接口、極低信號計(jì)數(shù)（通過 8 個 DQ 引腳提供地址、命令和數(shù)據(jù)）、隱藏刷新操作和汽車溫度操作，專為移動和汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品屬性

存儲器類型： 易失  

存儲器格式： PSRAM  

技術(shù)： PSRAM（偽 SRAM）  

存儲容量： 64Mbit  

存儲器組織： 8M x 8  

存儲器接口： HyperBus  

時鐘頻率： 200 MHz  

寫周期時間 - 字，頁 35ns  

訪問時間： 35 ns  

電壓 - 供電： 1.7V ~ 1.95V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 24-TBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 24-TFBGA（6x8）

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