NXH004P120M3F2PTHG是一款電源模塊，包含4 mOhm/1200 V SiC MOSFET半橋和HPS DBC熱敏電阻，采用F2封裝。SiC MOSFET開(kāi)關(guān)采用M3S技術(shù)，并通過(guò)15V-18V柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。該模塊適合用于UPS、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電站和太陽(yáng)能逆變器等設(shè)備。

規(guī)格

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 個(gè) N 通道（半橋）

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：284A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 200A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 120mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：876nC @ 20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：16410pF @ 800V

功率 - 最大值：785W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應(yīng)商器件封裝：36-PIM (56.7x62.8)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。