NTBG160N120SC1MOSFET采用全新技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19.5A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：224毫歐 @ 12A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：33.8 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：678 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

應(yīng)用

● 不間斷電源

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 升壓型逆變器

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