IRL100HS121功率MOSFET的設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù)，經(jīng)優(yōu)化可達(dá)到并超過(guò)能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應(yīng)用包括計(jì)算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。它們還可用于開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機(jī)控制、微型太陽(yáng)能逆變器和快速開(kāi)關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 6.7A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 10μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：5.6 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：440 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：11.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）（DFN2020）

封裝/外殼：6-PowerVDFN

應(yīng)用

● 無(wú)線充電

● 適配器

● 電信

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

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• 6.公司能開(kāi)發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。