IPB60R180C7 功率MOSFET標志著技術的革命性進步，它實現(xiàn)了低RDS(on)/封裝，而且，由于其開關損耗低，故在整個負載范圍內提高效率。C7系列優(yōu)化用于太陽能、服務器、電信和UPS等應用中的硬開關拓撲（如功率因數(shù)校正 (CCM PFC)、雙晶體管正激 (TTF) 和太陽能升壓）。該系列器件具有650V擊穿電壓，因此適合用于需要額外安全裕度的太陽能和開關模式電源 (SMPS) PFC級。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：130 毫歐 @ 5.3A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 260μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1080 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：68W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA

應用

● 遠程通訊

● 服務器

● 太陽能

● PC電源

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