STL325N4LF8AG 是采用 PowerFLAT 5x6 封裝的 Automotive N 溝道增強模式邏輯電平 40V、最大 0.75mΩ、373A STripFET F8 功率 MOSFET。 它確保了極低的導通電阻，同時降低了內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)了更快、更高效的開關(guān)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 373A (Tc)  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 0.75mOhm @ 60A, 10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 95 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±16V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 7657 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 188W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級 汽車級  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝，可潤濕側(cè)翼  

供應(yīng)商器件封裝 PowerFlat?（5x6）  

封裝/外殼 8-PowerVDFN 

產(chǎn)品特性

MSL1 等級

175 °C 工作溫度

100% 經(jīng)過雪崩測試

可潤濕側(cè)面封裝

應(yīng)用

開關(guān)應(yīng)用

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