STFW8N120K5 是采用 TO-3PF 封裝的 N 溝道 1200 V、1.65 Ω typ.、6 A、MDmesh K5 功率 MOSFET 晶體管。它顯著降低了導(dǎo)通電阻和超低柵極電荷，適用于要求高功率密度和高效率的應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 6A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 2 歐姆 @ 2.5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5V @ 100μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 13.7 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±30V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 505 pF @ 100 V  

功率耗散（最大值） 48W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 TO-3PF  

封裝/外殼 TO-3P-3

產(chǎn)品特性

業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積

業(yè)界最佳的 FoM（優(yōu)點系數(shù)）

超低柵極電荷

100% 雪崩測試

齊納保護

應(yīng)用

開關(guān)應(yīng)用

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