IMW120R030M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、30 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開(kāi)關(guān)相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如1200V級(jí)開(kāi)關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、 獨(dú)立于溫度的低開(kāi)關(guān)損耗以及無(wú)閾值導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

屬性

系列： CoolSiC?  

包裝： 管件  

FET 類(lèi)型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：56A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 40 毫歐 @ 25A，18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 10mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 63 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-7V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 227W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類(lèi)型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO247-3-41  

封裝/外殼： TO-247-3

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電動(dòng)汽車(chē)快速充電

太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開(kāi)發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。