FCMT250N65S3是安森美半導體全新的高電壓超級結(jié)(SJ)MOSFET系列。平衡技術(shù)，具有出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這一先進技術(shù)可最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy-drive 系列有助于管理 EMI 問題，并使其更易于使用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：250 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1010 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：90W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：Power88

封裝/外殼：4-PowerTSFN

應用

● 電信/服務器電源

● 工業(yè)電源

● UPS / 太陽能

● 照明/充電器/適配器

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