MSC060SMA070S與傳統(tǒng)的硅 (Si) 功率MOSFET相比，更具有良好的動態(tài)性能和熱性能。這些MOSFET具有低電容、低柵極電荷、快速開關(guān)速度以及良好的耐雪崩性能。這些碳化硅MOSFET能夠在175°C的高結(jié)溫下穩(wěn)定工作。這些MOSFET具有高效率和低開關(guān)損耗。這些碳化硅MOSFET無需任何續(xù)流二極管，降低了系統(tǒng)成本。典型應(yīng)用包括智能電網(wǎng)輸配電、感應(yīng)加熱和焊接、供電及配電。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：700 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：37A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：75 毫歐 @ 20A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：56 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1175 pF @ 700 V

功率耗散（最大值）：130W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D3PAK

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

應(yīng)用

● 驅(qū)動系統(tǒng)

● 汽車

● 商業(yè)航空

● 集成車輛系統(tǒng)

● 醫(yī)學(xué)成像

● 電機控制

● 光伏解決方案

● 動力傳動系統(tǒng)和電動汽車充電

● 遺產(chǎn)安全

● 無人機 (UAV)

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