IPD30N12S3L31 是 120V、最大 31 mΩ 的 Automotive OptiMOS?-T N 溝道 MOSFET 晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏極至源極電壓 (Vdss)： 120 V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C： 30A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大 Rds 開啟，最小 Rds 開啟）：4.5V，10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 31mOhm @ 30A、10V

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 29μA

柵極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs： 24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±20V 

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds： 1970 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）： 57W 

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3-11

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 連接片），SC-63

功能概述

OptiMOS? - 用于汽車應(yīng)用的功率 MOSFET

N 溝道 - 增強(qiáng)模式

通過汽車 AEC Q101 認(rèn)證

MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260°C

175°C 工作溫度

綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 規(guī)范）

100% 通過雪崩測試

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