IQE050N08NM5 是英飛凌對(duì)創(chuàng)新性源極底置技術(shù)的延伸。 OptiMOS? 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源極底置具有 30 V 和極低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源極底置技術(shù)使硅片倒置在元件內(nèi)部。調(diào)整后，源極電位（而非漏極電位）即可通過導(dǎo)熱墊連接到 PCB。這樣就能提供多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，如增強(qiáng)熱性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主動(dòng)散熱要求及有效的熱管理布局有利于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)。RDS(on) 新標(biāo)桿和創(chuàng)新布局能力使 源極底置 概念在溫度管理方面處于領(lǐng)先地位。源極底置產(chǎn)品組合解決了各種應(yīng)用問題，包括 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、 電信、 SMPS  或 服務(wù)器。目前，有兩種不同的產(chǎn)品尺寸采用了這項(xiàng)新技術(shù)：源極底置標(biāo)準(zhǔn)柵極和源極底置置中柵極（并行優(yōu)化）。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：16A（Ta），101A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） ：5 毫歐 @ 20A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 49μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 43.2 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2900 pF @ 40 V    

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝，可潤濕側(cè)翼  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TTFN-9-1  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

潛在應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

SMPS

服務(wù)器

電信

電池管理

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