NTHL060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的開關性能和更高的可靠性。MOSFET具有低導通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：47A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 6.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1473 pF @ 325 V

功率耗散（最大值）：176W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 開關模式電源 (SMPS)

● 太陽能逆變器

● 不間斷電源 (UPS)

● 量存儲能

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