NVMFD5C446NLT1G功率MOSFET符合AEC-Q101標準和生產(chǎn)件批準程序 (PPAP)，適合用于汽車應用。具有低導通電阻，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低總柵極電荷 (QG) 和低電容，可將驅(qū)動器損耗降到最低。這些功率MOSFET經(jīng)100%雪崩測試，并具有可濕側(cè)面選項，用于增強型光學檢測。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A（Ta），145A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.65 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 90μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：25nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3170pF @ 25V

功率 - 最大值：3.5W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道）

應用

● 電磁驅(qū)動器

● 低側(cè)/高側(cè)驅(qū)動器

● 汽車引擎控制器

● 防抱死制動系統(tǒng)

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