NVH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET具有與硅相比更出色的開關性能和更高的可靠性。安森美NVH4L060N065SC1具有低導通電阻，采用小尺寸芯片，可確保低電容和低柵極電荷。系統優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統尺寸小。

產品屬性

產品種類: MOSFET

技術: SiC

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-4L

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 47 A

Rds On-漏源導通電阻: 70 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 74 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 176 W

通道模式: Enhancement

系列: NVH4L060N065SC1

配置: Single

下降時間: 11 ns

正向跨導 - 最小值: 12 S

上升時間: 14 ns

典型關閉延遲時間: 24 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

應用

汽車車載充電器

適用于EV/HEV的汽車DC/DC轉換器

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