IPD029N04NF2S（40V）StrongIRFET?2 功率MOSFET具有2.9 mOhm的低RDS（ON），可滿足從低開關頻率到高開關頻率的廣泛應用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Ta），131A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.9 毫歐 @ 70A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 53μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：68 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3200 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），107W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

基本產品編號：IPD029

典型應用包括電源管理 (SMPS) 、適配器、電機驅動、電池供電應用、電池管理和不間斷電源 (UPS)。

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