IPP033N04NF2S StrongIRFET? 2 40V 功率 MOSFET 具備僅為 3.3 mΩ 的極低 RDS(on)，可用于從低到高開關頻率的各類應用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A（Ta），113A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.3 毫歐 @ 70A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 53μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：68 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3200 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），107W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO220-3-U05

封裝/外殼：TO-220-3

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