IPP013N04NF2S 采用 TO-220 封裝的 StrongIRFET? 2 40V 單N通道功率 MOSFET具有1.3 mΩ 的極低 RDS(on)，可用于從低到高開關(guān)頻率的各類應(yīng)用。

規(guī)格

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 197 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.4 V

Qg-柵極電荷: 159 nC

最小工作溫度: - 55°C

最大工作溫度: + 175°C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

下降時間: 31 ns

上升時間: 50 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 67 ns

典型接通延遲時間: 23 ns

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