NTMYS4D6N04CLTWG是一款工業(yè)功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPAK 封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。

規(guī)格

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LFPAK-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 78 A

Rds On-漏源導通電阻: 7.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 4.4 ns

正向跨導 - 最小值: 72 S

上升時間: 3.4 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 17 ns

典型接通延遲時間: 9.2 ns

單位重量: 75 mg

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