NTMYS8D0N04CTWG 是 40 V、8.1 m、49 A 功率 MOSFET 單 N 溝道晶體管，工業(yè)功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封裝，專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，具有高散熱性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：16A（Ta），49A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：8.1 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 30μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：10 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：625 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），38W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

產(chǎn)品特性

小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設(shè)計(jì)

低 RDS(on)，將傳導(dǎo)損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低

LFPAK4 封裝，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

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