AFBR-S4N66P024M 是一種硅光電倍增管 (SiPM) 陣列，用于超靈敏的單光子精密測量。

特點

2×1 SiPM 陣列

陣列尺寸為 13.54 毫米 × 6.54 毫米

高 PDE（420 納米時為 63）

出色的 SPTR 和 CRT

擊穿電壓均勻性極佳

優(yōu)異的增益均勻性

四面可傾斜，具有高填充因子

電池間距 40 微米

高透明度環(huán)氧樹脂保護層

工作溫度范圍為 0°C 至 +60°C

符合 RoHS、CFM 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用領(lǐng)域

X 射線和伽馬射線檢測

伽馬射線光譜分析

安全和安保

核醫(yī)學(xué)

正電子發(fā)射斷層掃描

生命科學(xué)

流式細(xì)胞儀

熒光-發(fā)光測量

時間相關(guān)單光子計數(shù)

高能物理

天體物理學(xué)

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