LM74722QDRRRQ1理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬理想二極管整流器，具有電源通路導(dǎo)通和關(guān)斷控制以及過壓保護(hù)功能。3 V 至 65 V 的寬輸入電源允許12 V 和 24 V 汽車電池供電 ECU 的保護(hù)和控制。該器件可承受負(fù)電源電壓并保護(hù)負(fù)載低至 -65 V。集成理想二極管控制器(GATE) 驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET，以取代肖特基二極管，實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保護(hù)。二極管，以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。

產(chǎn)品屬性

類型：N+1 ORing 控制器

FET 類型：N 通道

比率 - 輸入:輸出：1：1

內(nèi)部開關(guān)：無

電流 - 輸出（最大值）：2.1A

電流 - 供電：27 μA

電壓 - 供電：3V ~ 65V

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝，可潤濕側(cè)翼

封裝/外殼：12-WFDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：12-WSON（3x3）

應(yīng)用

● 汽車電池保護(hù)

● ADAS 域控制器

● 高級音頻放大器

● 主機(jī)

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