APT50M65B2FLLG是由Microchip Technology推出的高性能MOSFET模塊，屬于FREDFET MOS7系列。它采用T-MAX?封裝，具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度等特點(diǎn)，適用于高電壓、大電流的電力電子應(yīng)用。

參數(shù)（APT50M65B2FLLG）

系列：POWER MOS 7?  

包裝： 管件  

零件狀態(tài)：在售  

FET 類型：N 通道  

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 500 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：67A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 33.5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 2.5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 141 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）：±30V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 7010 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 694W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型：通孔  

供應(yīng)商器件封裝：T-MAX? [B2]  

封裝/外殼：TO-247-3 變式 

特性（APT50M65B2FLLG）

高耐壓：漏源電壓高達(dá)500V，適用于高電壓應(yīng)用場景。

低導(dǎo)通電阻：在33.5A、10V條件下，導(dǎo)通電阻僅為65mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。

快速開關(guān)：具備快速開關(guān)能力，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。

高電流能力：連續(xù)漏極電流可達(dá)67A（在25℃時），可滿足大電流需求。

高功耗承受能力：最大功耗可達(dá)694W（在Tc條件下），適用于高功率應(yīng)用。

寬工作溫度范圍：工作結(jié)溫范圍為-55℃至150℃，適應(yīng)性強(qiáng)。

應(yīng)用

APT50M65B2FLLG適用于多種高電壓、大電流的應(yīng)用場景，包括但不限于：

開關(guān)電源：用于高電壓輸入的開關(guān)電源設(shè)計(jì)，提供高效的功率轉(zhuǎn)換。

逆變器：在太陽能逆變器等應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)高效的直流到交流轉(zhuǎn)換。

電機(jī)驅(qū)動：為高電壓電機(jī)提供驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)精確的電機(jī)控制。

高頻電源：適用于高頻開關(guān)電源，如高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器。

電子負(fù)載：用于模擬高電壓、大電流的負(fù)載條件。

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