IPB339N20NM6是N 通道MOSFET，正常電平，具有極低的開電阻 RDS（導(dǎo)通），卓越的柵極充電 x 開路電阻產(chǎn)品（FOM），極低反向恢復(fù)電荷（Qrr）。高雪崩能級(jí)，175°C 工作溫度，無鉛鍍層；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù) J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn)，被列為MSL1 級(jí)，通過 100% 抗震測(cè)試。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6.8A (Ta), 39A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：31.8mOhm @ 26A, 15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 52μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），125W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封：PG-TO263-3-2

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。